Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/15159
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПавлик, Богдан Васильович-
dc.contributor.authorЛеновенко, А. М.-
dc.contributor.authorГрипа, Андрій Сергійович-
dc.date.accessioned2023-02-06T08:05:12Z-
dc.date.available2023-02-06T08:05:12Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationПавлик Б. В. Дослідження стабільності параметрів транзисторних термосенсорів під дією рентгенівського опромінення та магнітного поля / Б. В. Павлик, А. М. Леновенко, А. С. Грипа // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 3. - С. 802-807.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/15159-
dc.description.abstractПредставлені параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х - променів) та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p-n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольт-амперних (ВАХ) та вольт-фарадних характеристик (ВФХ), показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду і незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (В = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але проявляє вплив на дифузійну компоненту прямого струму через p-n-перехід. Дія рентгенівських променів (D < 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 годин) практично не змінила вольт-температурні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик у вищезгаданих умовах.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectтермосенсорuk_UA
dc.subjectp-n-перехідuk_UA
dc.subjectмагнітне полеuk_UA
dc.subjectрентгенівське випромінюванняuk_UA
dc.titleДослідження стабільності параметрів транзисторних термосенсорів під дією рентгенівського опромінення та магнітного поляuk_UA
dc.title.alternativeThe Investigation of the Influence of X-ray Irradiation and Weak Magnetic Field on the Parameters Stability of Transistor Temperature Sensorsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 13, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1303-40.pdf224.23 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.