Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/15159
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Павлик, Богдан Васильович | - |
dc.contributor.author | Леновенко, А. М. | - |
dc.contributor.author | Грипа, Андрій Сергійович | - |
dc.date.accessioned | 2023-02-06T08:05:12Z | - |
dc.date.available | 2023-02-06T08:05:12Z | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.citation | Павлик Б. В. Дослідження стабільності параметрів транзисторних термосенсорів під дією рентгенівського опромінення та магнітного поля / Б. В. Павлик, А. М. Леновенко, А. С. Грипа // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 3. - С. 802-807. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/15159 | - |
dc.description.abstract | Представлені параметри, яким повинні відповідати кремнієві транзистори, придатні для використання в термометрії. Досліджено вплив рентгенівського опромінення (Х - променів) та слабких магнітних полів на електрофізичні характеристики термосенсорів на базі p-n-переходу транзистора 2Т363А. З аналізу змін вольт-амперних (ВАХ) та вольт-фарадних характеристик (ВФХ), показано, що на початковій стадії рентгенівського опромінення спостерігається збільшення ефективності рекомбінаційних процесів в області просторового заряду і незначне зменшення величини прямого струму ВАХ, що можна пояснити ефектом руйнування метастабільних структурних дефектів бази транзистора. Зовнішнє магнітне поле (В = 0,17 Тл) практично не змінює ефективності рекомбінаційних процесів в ОПЗ, але проявляє вплив на дифузійну компоненту прямого струму через p-n-перехід. Дія рентгенівських променів (D < 325 Гр) і магнітних полів (експозиція до 15 годин) практично не змінила вольт-температурні характеристики, з чого можна зробити висновок про стабільність робочих характеристик у вищезгаданих умовах. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | термосенсор | uk_UA |
dc.subject | p-n-перехід | uk_UA |
dc.subject | магнітне поле | uk_UA |
dc.subject | рентгенівське випромінювання | uk_UA |
dc.title | Дослідження стабільності параметрів транзисторних термосенсорів під дією рентгенівського опромінення та магнітного поля | uk_UA |
dc.title.alternative | The Investigation of the Influence of X-ray Irradiation and Weak Magnetic Field on the Parameters Stability of Transistor Temperature Sensors | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 13, № 3 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
!1303-40.pdf | 224.23 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.