Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/15145
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorКіндрат, Т. П.-
dc.contributor.authorСорохтей, Тарас Романович-
dc.contributor.authorВозняк, Володимирович-
dc.date.accessioned2023-02-03T09:42:02Z-
dc.date.available2023-02-03T09:42:02Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Порівняльний аналіз сучасних кремнієвої і арсенідгалієвої субмікронних технологій формування структур швидкісних цифрових великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, Т. П. Кіндрат, Т. Р. Сорохтей, Ю. В. Возняк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 3. - С. 808-815.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/15145-
dc.description.abstractВ даній статті показані тенденції і перспективи розвитку розробок транзисторних структур (ТС) для промислового виготовлення конкурентних кремнієвих та арсенідгалієвих швидкісних цифрових ВІС – елементно-технологічної та конструкторської бази засобів обчислювальної техніки (ЗОТ). В даній статті висвітлюються унікальні властивості як кремнієвої, так і арсенідгалієвої субмікронних технологій та можливості їх суміщення.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectтопологіяuk_UA
dc.subjectшвидкодіяuk_UA
dc.subjectтехнологічний процесuk_UA
dc.subjectНВІСuk_UA
dc.titleПорівняльний аналіз сучасних кремнієвої і арсенідгалієвої субмікронних технологій формування структур швидкісних цифрових великих інтегральних схемuk_UA
dc.title.alternativeComparative Analysis of Current Silicon Technology and Gallium Arsenide Submicron Structures of High-Speed Digital Large Integrated Circuitsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 13, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1303-41.pdf223.37 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.