1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2012
  6. Т. 13, № 3
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/15145
Назва: Порівняльний аналіз сучасних кремнієвої і арсенідгалієвої субмікронних технологій формування структур швидкісних цифрових великих інтегральних схем
Інші назви: Comparative Analysis of Current Silicon Technology and Gallium Arsenide Submicron Structures of High-Speed Digital Large Integrated Circuits
Автори: Новосядлий, Степан Петрович
Кіндрат, Т. П.
Сорохтей, Тарас Романович
Возняк, Володимирович
Ключові слова: топологія
швидкодія
технологічний процес
НВІС
Дата публікації: 2012
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Новосядлий С. П. Порівняльний аналіз сучасних кремнієвої і арсенідгалієвої субмікронних технологій формування структур швидкісних цифрових великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, Т. П. Кіндрат, Т. Р. Сорохтей, Ю. В. Возняк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 3. - С. 808-815.
Короткий огляд (реферат): В даній статті показані тенденції і перспективи розвитку розробок транзисторних структур (ТС) для промислового виготовлення конкурентних кремнієвих та арсенідгалієвих швидкісних цифрових ВІС – елементно-технологічної та конструкторської бази засобів обчислювальної техніки (ЗОТ). В даній статті висвітлюються унікальні властивості як кремнієвої, так і арсенідгалієвої субмікронних технологій та можливості їх суміщення.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/15145
Розташовується у зібраннях:Т. 13, № 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1303-41.pdf223.37 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.