Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/15145
Title: Порівняльний аналіз сучасних кремнієвої і арсенідгалієвої субмікронних технологій формування структур швидкісних цифрових великих інтегральних схем
Other Titles: Comparative Analysis of Current Silicon Technology and Gallium Arsenide Submicron Structures of High-Speed Digital Large Integrated Circuits
Authors: Новосядлий, Степан Петрович
Кіндрат, Т. П.
Сорохтей, Тарас Романович
Возняк, Володимирович
Keywords: топологія
швидкодія
технологічний процес
НВІС
Issue Date: 2012
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Новосядлий С. П. Порівняльний аналіз сучасних кремнієвої і арсенідгалієвої субмікронних технологій формування структур швидкісних цифрових великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, Т. П. Кіндрат, Т. Р. Сорохтей, Ю. В. Возняк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 3. - С. 808-815.
Abstract: В даній статті показані тенденції і перспективи розвитку розробок транзисторних структур (ТС) для промислового виготовлення конкурентних кремнієвих та арсенідгалієвих швидкісних цифрових ВІС – елементно-технологічної та конструкторської бази засобів обчислювальної техніки (ЗОТ). В даній статті висвітлюються унікальні властивості як кремнієвої, так і арсенідгалієвої субмікронних технологій та можливості їх суміщення.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/15145
Appears in Collections:Т. 13, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1303-41.pdf223.37 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.