Кристалохімічні моделі дефектної підсистеми у легованих ферумом кристалах цинк селеніду ZnSe:Fe

Abstract

Запропоновано кристалоквазіхімічні формули легованих кристалів n-ZnSе:Fе та р-ZnSе:Fе. Визначено залежність концентрації домінуючих точкових дефектів, концентрації вільних носіїв та холлівської концентрації носіїв струму від величини відхилення від стехіометричного складу (α, β), цинку у вузлах кристалічної гратки (γ) та у міжвузлях (ε), а також коефіцієнтів диспропорціювання міжвузлових атомів цинку (δ) та вакансій цинку (μ).