DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/14898| Назва: | Дослідження ефективності гетерних технологій в структурах арсеніду галію |
| Інші назви: | The Efficacy Hetero Technologies in the Structures of Gallium Arsenide |
| Автори: | Новосядлий, Степан Петрович Марчук, С. М. Возняк, Юрій Володимирович Сорохтей, Тарас Романович |
| Ключові слова: | технологічний процес холлівська рухливість арсенід галію холлотрон |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Новосядлий С. П. Дослідження ефективності гетерних технологій в структурах арсеніду галію / С. П. Новосядлий, С. М. Марчук, Ю. В. Возняк, Т. Р. Сорохтей // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 2. - С. 482-487. |
| Короткий огляд (реферат): | В кремнієвій технології формування структур ВІС для зміни ефективної дії гетера кількісною характеристикою-параметром визначений ріст часу життя неосновних носіїв заряду [1]. Це відповідно дозволяє прирівнювати по дії також кількісний характер, за допомогою якого можна оцінювати ефективність дії гетерних технологій по відношенню до арсеніду галію. Таким параметром вибрана холлівська рухливість носіїв заряду. Дані дослідження є особливо актуальними сьогодні при визначенні технології формування самосумісних К-МОН-структур на епітаксійному арсеніді галію. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/14898 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1302-34.pdf | 336.46 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.