DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/14897| Назва: | Сонячний елемент на основі гетеропереходу n-ТіО2/p-CdTe |
| Інші назви: | A Solar Cell Based on a Heterojunction n-ТіО2/p-CdTe |
| Автори: | Брус, Віктор Васильович Ілащук, Марія Іванівна Ковалюк, Захар Дмитрович Мар’янчук, Павло Дмитрович Ульяницький, Костянтин Сергійович Грицюк, Б. М. |
| Ключові слова: | сонячний елемент тонка плівка TiO2 CdTe |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Брус В. В. Сонячний елемент на основі гетеропереходу n-ТіО2/p-CdTe / В. В. Брус, М. І. Ілащук, З. Д. Ковалюк, П. Д. Мар’янчук, К. С. Ульяницький, Б. М. Грицюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 2. - С. 478-481. |
| Короткий огляд (реферат): | Виготовлені фоточутливі гетеропереходи n-ТіО2/p-CdTe шляхом нанесення методом реактивного магнетронного розпилення при постійній напрузі тонких плівок ТіО2 n-типу провідності на свіжо сколоті монокристалічні підкладки p-CdTe (110). Запропоновано методи формування омічних контактів до n - ТіО2 та p - CdTe, а також досліджено їхні електричні властивості. Сонячний елемент при освітленні 100 мВт/см2 володіє наступними фотоелектричними параметрами: напруга холостого ходу Voc = 0,69 В, струм короткого замикання Isc = 6 мА/см2 і коефіцієнтом заповнення FF = 0,42. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/14897 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| !1302-33.pdf | 171.03 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.