Особливості дефектної підсистеми ізовалентно легованих кристалів цинк селеніду ZnSе:Те

Abstract

Запропоновано кристалоквазіхімічні формули легованих кристалів n-ZnSе:Те та р-ZnSе:Те. Визначено залежність концентрації домінуючих точкових дефектів, концентрації вільних носіїв та холлівської концентрації носіїв струму від величини відхилення від стехіометричного складу (α, β), цинку у вузлах кристалічної гратки (γ) та у міжвузлях (ε), а також коефіцієнтів диспропорціюванняміжвузлових атомів цинку (δ) та вакансій цинку (μ).