Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/14792
Title: | Особливості дефектної підсистеми ізовалентно легованих кристалів цинк селеніду ZnSе:Те |
Other Titles: | FeaturesoftheDefectSubsystemIsovalentDoped ZincSelenideCrystalsZnSe: Te |
Authors: | Вадюк, М. П. Гургула, Галина Ярославівна Межиловська, Любов Йосипівна |
Keywords: | цинк селенід точкові дефекти самолегування кристалоквазіхімічні формули |
Issue Date: | 2012 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Вадюк М. П. Особливості дефектної підсистеми ізовалентно легованих кристалів цинк селеніду ZnSе:Те / М. П. Вадюк, Г. Я. Гургула, Л. Й. Межиловська // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 2. - С. 428-433. |
Abstract: | Запропоновано кристалоквазіхімічні формули легованих кристалів n-ZnSе:Те та р-ZnSе:Те. Визначено залежність концентрації домінуючих точкових дефектів, концентрації вільних носіїв та холлівської концентрації носіїв струму від величини відхилення від стехіометричного складу (α, β), цинку у вузлах кристалічної гратки (γ) та у міжвузлях (ε), а також коефіцієнтів диспропорціюванняміжвузлових атомів цинку (δ) та вакансій цинку (μ). |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/14792 |
Appears in Collections: | Т. 13, № 2 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
!1302-23.pdf | 440.11 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.