Вплив поверхневого опору n+-шару кремнієвих p-i-n фотодіодів на їх електричні параметри

Abstract

Виготовлено кремнієві квадрантні p-i-n фотодіоди з різною концентрацією дифундованого фосфору в n+-шарі. Отримано експериментальну криву розподілу домішки фосфору по глибині дифузійного шару Вивчено вплив концентрації носіїв заряду в даному шарі на темнові струми фоточутливих елементів та охоронного кільця. Виміряно вольт-амперні характеристики фотодіодів. Побачено, що при зменшенні поверхневого опору n+-шару, темнові струми зменшуються, зразки з поверхневим опором 1,9 – 2,4 Ohm/□ мають приблизно однаковий рівень темнових струмів фоточутливих площадок, тобто подальше збільшення концентрації носіїв заряду не вносить ніяких змін. Для темнових струмів охоронних кілець фотодіодів побачено, що вони більшою мірою залежать від стану периферії кристалу, а не від степені легування. Виявлено вплив поверхневого опору n+-шару на опір взаємозвязку між фоточутливими площадками та охоронним кільцем та відсутність впливу на ємність ФД.