Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/14557
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКукурудзяк, М. С.-
dc.date.accessioned2023-01-03T10:14:23Z-
dc.date.available2023-01-03T10:14:23Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationКукурудзяк М. С. Вплив поверхневого опору n+-шару кремнієвих p-i-n фотодіодів на їх електричні параметри / М. С. Кукурудзяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 4. - С. 756-763.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.23.4.756-763-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/14557-
dc.description.abstractВиготовлено кремнієві квадрантні p-i-n фотодіоди з різною концентрацією дифундованого фосфору в n+-шарі. Отримано експериментальну криву розподілу домішки фосфору по глибині дифузійного шару Вивчено вплив концентрації носіїв заряду в даному шарі на темнові струми фоточутливих елементів та охоронного кільця. Виміряно вольт-амперні характеристики фотодіодів. Побачено, що при зменшенні поверхневого опору n+-шару, темнові струми зменшуються, зразки з поверхневим опором 1,9 – 2,4 Ohm/□ мають приблизно однаковий рівень темнових струмів фоточутливих площадок, тобто подальше збільшення концентрації носіїв заряду не вносить ніяких змін. Для темнових струмів охоронних кілець фотодіодів побачено, що вони більшою мірою залежать від стану периферії кристалу, а не від степені легування. Виявлено вплив поверхневого опору n+-шару на опір взаємозвязку між фоточутливими площадками та охоронним кільцем та відсутність впливу на ємність ФД.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherПрикарпатський національний університет імені Василя Стефаникаuk_UA
dc.subjectфотодіодuk_UA
dc.subjectповерхневий опірuk_UA
dc.subjectтемновий струмuk_UA
dc.subjectохоронне кільцеuk_UA
dc.titleВплив поверхневого опору n+-шару кремнієвих p-i-n фотодіодів на їх електричні параметриuk_UA
dc.title.alternativeInfluence of Surface Resistance of Silicon p-i-n Photodiodes n+-Layer on their Electrical Parametersuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 23, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
5904-Текст статті-18639-1-10-20221219.pdf956.54 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.