Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/14557
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Кукурудзяк, М. С. | - |
dc.date.accessioned | 2023-01-03T10:14:23Z | - |
dc.date.available | 2023-01-03T10:14:23Z | - |
dc.date.issued | 2022 | - |
dc.identifier.citation | Кукурудзяк М. С. Вплив поверхневого опору n+-шару кремнієвих p-i-n фотодіодів на їх електричні параметри / М. С. Кукурудзяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 4. - С. 756-763. | uk_UA |
dc.identifier.other | 10.15330/pcss.23.4.756-763 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/14557 | - |
dc.description.abstract | Виготовлено кремнієві квадрантні p-i-n фотодіоди з різною концентрацією дифундованого фосфору в n+-шарі. Отримано експериментальну криву розподілу домішки фосфору по глибині дифузійного шару Вивчено вплив концентрації носіїв заряду в даному шарі на темнові струми фоточутливих елементів та охоронного кільця. Виміряно вольт-амперні характеристики фотодіодів. Побачено, що при зменшенні поверхневого опору n+-шару, темнові струми зменшуються, зразки з поверхневим опором 1,9 – 2,4 Ohm/□ мають приблизно однаковий рівень темнових струмів фоточутливих площадок, тобто подальше збільшення концентрації носіїв заряду не вносить ніяких змін. Для темнових струмів охоронних кілець фотодіодів побачено, що вони більшою мірою залежать від стану периферії кристалу, а не від степені легування. Виявлено вплив поверхневого опору n+-шару на опір взаємозвязку між фоточутливими площадками та охоронним кільцем та відсутність впливу на ємність ФД. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника | uk_UA |
dc.subject | фотодіод | uk_UA |
dc.subject | поверхневий опір | uk_UA |
dc.subject | темновий струм | uk_UA |
dc.subject | охоронне кільце | uk_UA |
dc.title | Вплив поверхневого опору n+-шару кремнієвих p-i-n фотодіодів на їх електричні параметри | uk_UA |
dc.title.alternative | Influence of Surface Resistance of Silicon p-i-n Photodiodes n+-Layer on their Electrical Parameters | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 23, № 4 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
5904-Текст статті-18639-1-10-20221219.pdf | 956.54 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.