Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/14490
Назва: | Вплив деформацій на одноелектронні стани в молекулі, утвореній із трьох квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs |
Інші назви: | The influence of deformations on single electron states in a molecule formed from three quantum dots of the heterosystem InAs/GaAs |
Автори: | Гольський, Віталій Богданович Лешко, Роман Ярославович |
Ключові слова: | три квантові точки квантова молекула деформація |
Дата публікації: | 2022 |
Видавництво: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
Бібліографічний опис: | Гольський В. Б. Вплив деформацій на одноелектронні стани в молекулі, утвореній із трьох квантових точок гетеросистеми InAs/GaAs / В. Б. Гольський, Р. Я. Лешко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 4. - С. 686-692. |
Короткий огляд (реферат): | Досліджено молекулу з трьох квантових точок, що своїми центрами утворюють трикутник гетеросистеми InAs/GaAs. Проведено чисельний розрахунок енергетичного спектра електрона в молекулі, що утворена з трьох квантових точок сферичної форми. Досліджено вплив деформацій на енергію електрона в залежності від величини нанокристалів, відстані між ними та симетрії квантової молекули. Розглянуто випадок симетрії рівностороннього та рівнобедреного трикутника. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/14490 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 23, № 4 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
6196-Текст статті-18616-2-10-20221218.pdf | 938.33 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.