Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/14028
Назва: Маґнітна і кристалічна мікроструктури плівок залізо-ітрієвого ґранату (ЗІҐ), імплантованих йонами фосфору та оксиґену
Автори: Григорук, О. О.
Ключові слова: епітаксійні ферит-ґранатові плівки
залізо-ітрієвий ґранат
йонна імплантація
маґнітна мікроструктура
конверсійна електронна месбауерівська спектроскопія
радіяційні дефекти
Дата публікації: 2011
Видавництво: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Бібліографічний опис: Григорук O. О. Магнітна і кристалічна мікроструктури плівок залізо-ітрієвого гранату (ЗІҐ), імплантованих йонами фосфору та оксиґену // Вісник Прикарпатського національного університету. Серія: Хімія. – 2011. – Вип. 11. – C.37 – 47.
Короткий огляд (реферат): Робота присвячена вивченню особливостей магнітної мікроструктури приповерхневих шарів епітаксійних плівок залізо-ітрієвого ґранату (ЗІҐ) та її зміни після імплантації йонами Р+ (Е=65 кеВ) і О+ (Е=90 кеВ) з наступним відпалом. Основний акцент зроблено на встановлення взаємозв’язку між маґнітною мікроструктурою та параметрами радіяційно-розупорядкованої кристалічної структури приповерхневих шарів епітаксійних плівок ЗІҐ. При імплантації плівок ЗІҐ йонами Р+ з дозами, при яких зберігається пружно-деформований стан приповерхневого шару, спостерігається зростання ефективних магнітних полів Неф на ядрах Fe57 з одночасним збільшенням ізомерних зсувів 3, тоді як при опроміненні йонами О+, навпаки, зафіксовано зменшення Неф та зменшення 3; встановлені відмінносте пояснюються деформаційно індукованими змінами ступеня ковалентности зв’язку Ре - О та віддалі обмінної взаємодії. Виявлено, що концентрація дефектів, генерованих при релаксації електронної підсистеми кристалу при опроміненні О+, не перевищує 1% від концентрації дефектів, створених при ядерному гальмуванні. При імплантації О+ аморфний шар зароджується на поверхні плівки ЗІҐ, для випадку імплантації йонами Р+ аморфізація структури розпочинається у ділянці максимуму пружних енерґетичних втрат з подальшим поширенням при зростанні дози опромінення як до поверхні, так і вглиб плівки. У плівках ЗІҐ, імплантованих Р+, домінують напруги стиску, що пояснюється локалізацією йонів Р+ при відпалі в анйонних вакансіях з посиленням ковалентної і послабленням йонної складових хемічного зв’язку Ре - О. Встановлено присутність в ЕФҐП йонів Ре2+, зумовлену заміщенням частини йонів Fe3+ на РЬ4+ на фінальній стадії рідкофазної епітаксії.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/14028
Розташовується у зібраннях:№ 11

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
O. О. Григорук С.37-47.pdf501.84 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.