Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/14007
Title: | Створення та фотоелектричні властивости структур на основі багатокомпонентних халькоґенідів |
Authors: | Петрусь, Роман Юрійович |
Keywords: | селеніди індію напівпровідникові тверді розчини спрямована кристалізація хемічні транспортні реакції фотоперетворюючі структури бар’єри Шотткі гетероструктури |
Issue Date: | 2011 |
Publisher: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
Citation: | Петрусь P. Ю. Створення та фотоелектричні властивости структур на основі багатокомпонентних халькоґенідів // Вісник Прикарпатського національного університету. Серія: Хімія. – 2011. – Вип. 12. – C.85 – 95. |
Abstract: | Методами спрямованої кристалізації та хемічних транспортних реакцій удосконалено технології вирощування монокристалів InSe, In2Se3 та твердих розчинів Cd1-xMnxTe (х=0,00-0,70), визначено елементний склад, досліджено структуру та фізичні властивости отриманих монокристалів. Запропоновано нову технологію формування енергетичного бар’єру методом термообробки вирощених кристалів, і вперше створено випрямляючі фоточутливі гетероструктури n-Ox/n-InSe, Ox/Cd1-xMnxTe (х=0,00-0,70). Проаналізовано стаціонарні вольт-амперні характеристики і спектри відносної квантової ефективности вперше одержаних гетероструктур у природньому (а для n-Ох/n-InSe і в лінійно-поляризованому) випромінюванні. Показано, що в створених гетероструктурах спостерігається фоточутливість у широкій спектральній смузі, а за скісного падіння лінійно- поляризованого випромінювання виникає фотоплеохроїзм. Уперше створено бар’єри Шотткі In/n-In2Se3, Al/n-In2Se3 та In/Cd1-xMnxTe, які фоточутливі у широкому інтервалі енергій падаючих фотонів (1-3,8 еВ, 300 К). Аналіза спектрів фоточутливости створених структур дозволила визначити характер міжзонних оптичних переходів, висоту енергетичних бар’єрів і енергії міжзонних оптичних переходів кристалів In2Se3, Cd1-xMnxTe (х=0,00-0,70). Запропоновано і вперше отримано методом електричного розряду точкові структури на основі монокристалів InSe та твердих розчинів Cd1-xMnxTe (х=0,00-0,70). Досліджено стаціонарні вольт-амперні характеристики та фоточутливість структур ТК/n-InSe, ТК/Cd1-xMnxTe (х=0,00-0,70). Виявлено широкосмуговий характер і екситонна особливість у спектрах фоточутливости структур ТК/n-InSe. Зроблено висновок про можливість застосування нових структур як широкосмугових фотоперетворювачів оптичного випромінювання та у створенні приладів магнітної фотоелектроніки на основі твердих розчинів Cd1-xMnxTe. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/14007 |
Appears in Collections: | № 12 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
P. Ю. Петрусь С.85-95.pdf | 522.87 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.