Одержання, фізичні властивости плівок і кластерів CdS та структури на їх основі

Abstract

Розроблено технологію електрохемічного осадження тонких плівок CdS. Показано, що цей метод дозволяє одержувати напівпровідникові тонкі плівки CdS стехіометричного складу і заданої товщини на великих площах електрода при Т< 373 К. Показано можливість фотоперетворення в структурах з бар’єром Шотткі на плівках CdS. Уперше створено електролітичні сонячні елементи з великими площами на основі електроліту у формі гелю з розчину №28. Розроблено технологію хемічного поверхневого осадження (ХПО) плівок CdS заданої товщини з водних розчинів солей кадмію при Т< 373 К. Встановлено, що метод ХПО дозволяє одержувати тонкі (від 30 до 100 нм) суцільні, полікристалічні, близького до стехіометричного складу плівки CdS. Показано можливість створення фотоперетворюючих пристроїв великої площі на основі гетеро- переходів n-CdS/р-CdTe. Уперше комбінацією методів прищепленої від поверхні полімеризації і йонного обміну одержані полімерні шари з вбудованими кластерами CdS. За теоретичною залежністю ширини забороненої зони кластерів CdS від їх розмірів визначено розміри кластерів (2,9-4,7 нм). Установлено, що використання шару з гідрофільними і гідрофобними ділянками в полімерній матриці приводить до формування чутливих до впливу сірковмісної атмосфери кластерів.