Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/13884
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Новосядлий, Степан Петрович | - |
dc.contributor.author | Атаманюк, Роман Богданович | - |
dc.contributor.author | Сорохтей, Тарас Романович | - |
dc.contributor.author | Мельник, Л. В. | - |
dc.contributor.author | Возняк, Юрій Володимирович | - |
dc.date.accessioned | 2022-11-30T08:27:56Z | - |
dc.date.available | 2022-11-30T08:27:56Z | - |
dc.date.issued | 2012 | - |
dc.identifier.citation | Новосядлий С. П. Технологічні особливості сухої вакуумної літографії для формування субмікронних структур ВІС / С. П. Новосядлий, Р. Б. Атаманюк, Т. Р. Сорохтей, Л. В. Мельник, Ю. В. Возняк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 273-278. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/13884 | - |
dc.description.abstract | Важлива проблема сучасної мікроелектроніки – це створення нових матеріалів та вакуумних процесів на їх основі, які б дозволили об‘єднати технологічні операції виготовлення субмікронних структур в єдиному автоматизованому циклі і досягнути степені інтеграції 8 10 7 10- - - елементів на кристалі з використання кластерного обладнання. Саме проблема технологічної інтеграції в значній степені стримується літографічними процесами , з допомогою яких формується необхідна конфігурація окремих елементів мікросхеми. Сьогодні ці процеси здійснюються хімічними методами, які основані на рідинних процесах, що і порушує єдність замкнутого технологічного циклу і вимагає великих витрат високо отруйних розчинників. Тут треба підкреслити , що на обробку єдиної кремнієвої пластини витрачається 5л органічних розчинників. Рідинні процеси літографії є серйозним бар‘єром в отриманні субмікронних розмірів (<1мкм) внаслідок ізотропності процесів проявлення і травлення Таким чином , існуюча літографія не відповідає сучасним вимогам технології формування структур ВІС. Матеріали даної статті визначають сучасні методи сухої літографії в контексті формування суб-і наномікронних структур швидких ВІС . | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | вакуумна літографія | uk_UA |
dc.subject | ВІС | uk_UA |
dc.title | Технологічні особливості сухої вакуумної літографії для формування субмікронних структур ВІС | uk_UA |
dc.title.alternative | Technological Features of Dry Vacuum Lithography to Form Submicron VLSI Structures | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 13, № 1 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
!1301-45.pdf | 448.77 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.