Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/13884
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorАтаманюк, Роман Богданович-
dc.contributor.authorСорохтей, Тарас Романович-
dc.contributor.authorМельник, Л. В.-
dc.contributor.authorВозняк, Юрій Володимирович-
dc.date.accessioned2022-11-30T08:27:56Z-
dc.date.available2022-11-30T08:27:56Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Технологічні особливості сухої вакуумної літографії для формування субмікронних структур ВІС / С. П. Новосядлий, Р. Б. Атаманюк, Т. Р. Сорохтей, Л. В. Мельник, Ю. В. Возняк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 273-278.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/13884-
dc.description.abstractВажлива проблема сучасної мікроелектроніки – це створення нових матеріалів та вакуумних процесів на їх основі, які б дозволили об‘єднати технологічні операції виготовлення субмікронних структур в єдиному автоматизованому циклі і досягнути степені інтеграції 8 10 7 10- - - елементів на кристалі з використання кластерного обладнання. Саме проблема технологічної інтеграції в значній степені стримується літографічними процесами , з допомогою яких формується необхідна конфігурація окремих елементів мікросхеми. Сьогодні ці процеси здійснюються хімічними методами, які основані на рідинних процесах, що і порушує єдність замкнутого технологічного циклу і вимагає великих витрат високо отруйних розчинників. Тут треба підкреслити , що на обробку єдиної кремнієвої пластини витрачається 5л органічних розчинників. Рідинні процеси літографії є серйозним бар‘єром в отриманні субмікронних розмірів (<1мкм) внаслідок ізотропності процесів проявлення і травлення Таким чином , існуюча літографія не відповідає сучасним вимогам технології формування структур ВІС. Матеріали даної статті визначають сучасні методи сухої літографії в контексті формування суб-і наномікронних структур швидких ВІС .uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectвакуумна літографіяuk_UA
dc.subjectВІСuk_UA
dc.titleТехнологічні особливості сухої вакуумної літографії для формування субмікронних структур ВІСuk_UA
dc.title.alternativeTechnological Features of Dry Vacuum Lithography to Form Submicron VLSI Structuresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 13, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1301-45.pdf448.77 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.