Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/13884
Назва: Технологічні особливості сухої вакуумної літографії для формування субмікронних структур ВІС
Інші назви: Technological Features of Dry Vacuum Lithography to Form Submicron VLSI Structures
Автори: Новосядлий, Степан Петрович
Атаманюк, Роман Богданович
Сорохтей, Тарас Романович
Мельник, Л. В.
Возняк, Юрій Володимирович
Ключові слова: вакуумна літографія
ВІС
Дата публікації: 2012
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Новосядлий С. П. Технологічні особливості сухої вакуумної літографії для формування субмікронних структур ВІС / С. П. Новосядлий, Р. Б. Атаманюк, Т. Р. Сорохтей, Л. В. Мельник, Ю. В. Возняк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 273-278.
Короткий огляд (реферат): Важлива проблема сучасної мікроелектроніки – це створення нових матеріалів та вакуумних процесів на їх основі, які б дозволили об‘єднати технологічні операції виготовлення субмікронних структур в єдиному автоматизованому циклі і досягнути степені інтеграції 8 10 7 10- - - елементів на кристалі з використання кластерного обладнання. Саме проблема технологічної інтеграції в значній степені стримується літографічними процесами , з допомогою яких формується необхідна конфігурація окремих елементів мікросхеми. Сьогодні ці процеси здійснюються хімічними методами, які основані на рідинних процесах, що і порушує єдність замкнутого технологічного циклу і вимагає великих витрат високо отруйних розчинників. Тут треба підкреслити , що на обробку єдиної кремнієвої пластини витрачається 5л органічних розчинників. Рідинні процеси літографії є серйозним бар‘єром в отриманні субмікронних розмірів (<1мкм) внаслідок ізотропності процесів проявлення і травлення Таким чином , існуюча літографія не відповідає сучасним вимогам технології формування структур ВІС. Матеріали даної статті визначають сучасні методи сухої літографії в контексті формування суб-і наномікронних структур швидких ВІС .
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/13884
Розташовується у зібраннях:Т. 13, № 1

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1301-45.pdf448.77 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.