Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/13884
Назва: | Технологічні особливості сухої вакуумної літографії для формування субмікронних структур ВІС |
Інші назви: | Technological Features of Dry Vacuum Lithography to Form Submicron VLSI Structures |
Автори: | Новосядлий, Степан Петрович Атаманюк, Роман Богданович Сорохтей, Тарас Романович Мельник, Л. В. Возняк, Юрій Володимирович |
Ключові слова: | вакуумна літографія ВІС |
Дата публікації: | 2012 |
Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Бібліографічний опис: | Новосядлий С. П. Технологічні особливості сухої вакуумної літографії для формування субмікронних структур ВІС / С. П. Новосядлий, Р. Б. Атаманюк, Т. Р. Сорохтей, Л. В. Мельник, Ю. В. Возняк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 273-278. |
Короткий огляд (реферат): | Важлива проблема сучасної мікроелектроніки – це створення нових матеріалів та вакуумних процесів на їх основі, які б дозволили об‘єднати технологічні операції виготовлення субмікронних структур в єдиному автоматизованому циклі і досягнути степені інтеграції 8 10 7 10- - - елементів на кристалі з використання кластерного обладнання. Саме проблема технологічної інтеграції в значній степені стримується літографічними процесами , з допомогою яких формується необхідна конфігурація окремих елементів мікросхеми. Сьогодні ці процеси здійснюються хімічними методами, які основані на рідинних процесах, що і порушує єдність замкнутого технологічного циклу і вимагає великих витрат високо отруйних розчинників. Тут треба підкреслити , що на обробку єдиної кремнієвої пластини витрачається 5л органічних розчинників. Рідинні процеси літографії є серйозним бар‘єром в отриманні субмікронних розмірів (<1мкм) внаслідок ізотропності процесів проявлення і травлення Таким чином , існуюча літографія не відповідає сучасним вимогам технології формування структур ВІС. Матеріали даної статті визначають сучасні методи сухої літографії в контексті формування суб-і наномікронних структур швидких ВІС . |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/13884 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 1 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
!1301-45.pdf | 448.77 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.