Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/13718
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorДзумедзей, Роман Олексійович-
dc.contributor.authorНикируй, Любомир Іванович-
dc.contributor.authorБандура, Юлія Володимирівна-
dc.contributor.authorГевак, Тетяна Петрівна-
dc.date.accessioned2022-11-23T14:03:59Z-
dc.date.available2022-11-23T14:03:59Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationДзумедзей Р. О. Термоелектрика легованих кристалів PbTe:Bi(Sb) у широкому температурному інтервалі / Р. О. Дзумедзей, Л. І. Никируй, Ю. В. Бандура, Т. П. Гевак // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 230-233.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/13718-
dc.description.abstractРозраховано термоелектричні коефіцієнти для PbTe:Sb та PbTe:Ві у температурному інтервалі (77- 800) К. Встановлено характер поведінки безрозмірної термоелектричної добротності залежно від вмісту домішки ((1, 1.5 та 2) ат. % Sb і (0.25, 0.5, 1 та 2) ат. % Ві). Проведено порівняльний аналіз впливу легуючих домішок (Sb, Bi) фіксованого вмісту на безрозмірну термоелектричну добротність кристалічного плюмбум телуриду.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectтелурид свинцюuk_UA
dc.subjectтермоелектричні коефіцієнтиuk_UA
dc.subjectтермоелектрична добротністьuk_UA
dc.subjectлегуванняuk_UA
dc.titleТермоелектрика легованих кристалів PbTe:Bi(Sb) у широкому температурному інтерваліuk_UA
dc.title.alternativeThermoelectricity of Doped Crystals PbTe:Bi(Sb) in a Wide Temperature Rangeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 13, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
!1301-38.pdf149.96 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.