Зміна оптичних параметрів тонких плівок CdSe1-xSx отриманих методом хімічного осадження

Abstract

ІІ-VIбінарні напівпровідні сполуки, що належать до сімейства халькогенідів кадмію (CdS, CdSe, CdTe), є перспективними матеріалами для фотоелектричних та сенсорних застосувань (в сонячній енергетиці, газових сенсорах). CdS і CdSe є добрими фотоелектричними матеріалами, завдяки високому коефіцієнту поглинання енергії та оптимальній енергії ширини забороненої зони, для ефективного поглинання світла й перетворення його в електричну енергію. Зокрема, CdS є найбільш використовуваним матеріалом в якості оптичного вікна в гетероперехідних сонячних елементах на основі CdTe. Тонкі плівки CdSe мають великий потенціал для виготовлення сонячних батарей високої ефективності, фотоприймачів, світлодіодів, наносенсорів, біомедичних пристроїв для обробки зображень, тонкоплівкових транзисторів та інших оптоелектронних пристроїв для сонячних гібридних систем. Селеносульфід кадмію (CdSeS) входить до групи халькогенідів, що мають напівпровідниковий характер. Названі сполуки можуть розглядатися, як особливий клас бінарних напівпровідних сполук, що мають перспективні оптичні параметри. Приведено результати експериментальних досліджень твердих розчинів CdSe1-xSx (х=0,30(1)). Синтез тонких плівок CdSe1-xSx здійснювалось методом хімічного осадження на кварцову підкладку. Аналіз отриманого з'єднання проводився за допомогою Х-промінево-флуоресцентного аналізу та Х-променевої дифракції. Дослідження якості отриманих плівок проведено з використанням растрової електронної мікроскопії. Отримано спектри оптичного пропускання та визначено значення ширини забороненої зони в залежності від часу осадження плівки.