Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/13393
Назва: | Процеси оствальдівського дозрівання і гаусіани у розподілі висот наноструктур PbTe/(0001) слюда |
Інші назви: | Processes Ostvald’s Maturation and Gaussians in the Heights Distribution of Nanostructures PbTe/(0001) Mica |
Автори: | Бачук, Василь Васильович |
Ключові слова: | наноструктури телурид свинцю розподіл Гаусса оствальдівське дозрівання |
Дата публікації: | 2012 |
Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Бібліографічний опис: | Бачук В. В. Процеси оствальдівського дозрівання і гаусіани у розподілі висот наноструктур PbTe/(0001) слюда / В. В. Бачук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2012. - Т. 13. - № 1. - С. 88-93. |
Короткий огляд (реферат): | На основі АСМ-досліджень наноструктур PbTe,осаджених парофазними методами за різних технологічних факторів на сколи (0001) слюди-мусковіт отримано гістограми їх розподілу за висотою, які апроксимовано функціями Гаусса. У рамках моделі оствальдівського дозрівання визначено механізми їх росту. Показано, що для досліджуваних технологічних факторів домінує електронний механізм, пов’язаний із утворенням хімічних зв’язків. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/13393 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 13, № 1 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
!1301-15.pdf | 257.53 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.