Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/13179
Title: | Дефекти структури приповерхневих шарів йонно-імплантованих епітаксійних плівок та монокристалів гранату |
Authors: | Яремій, Іван Петрович Остафійчук, Богдан Костянтинович |
Keywords: | монокристали гадоліній-галієвий ґранат ферит-ґранатові плівки йонна імплантація радіаційні дефекти приповерхневий шар профілі відносної деформації Х-променева дифрактометрія мессбауерівська спектроскопія |
Issue Date: | 2014 |
Publisher: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
Citation: | Яремій І. П., Остафійчук Б. К. Дефекти структури приповерхневих шарів йонно-імплантованих епітаксійних плівок та монокристалів гранату // Вісник Прикарпатського університету. Серія: Фізика. Функціональні матеріали. – 2014. – Вип. 3. – C. 3-20. |
Abstract: | Показано, що в йонно-імплантованих приповерхневих шарах досліджуваних матеріалів формування дислокаційних петель за рахунок об'єднання точкових радіаційних дефектів відбувається тільки в площинах, паралельних до поверхні зразка. Для коректного аналізу вказаної системи дефектів в рамках статистичної динамічної теорії виведено функціональні залежності та обчислено значення структурно чутливих до дефектів Х-променевих параметрів, в яких враховано ефекти анізотропії в орієнтації дислокаційних петель. Отримано інформацію про структуру та характеристики дефектів в неімплантованих та імплантованих монокристалах та плівках, встановлено зв'язок між характеристиками дефектів та параметрами магнітної мікроструктури досліджуваних матеріалів. Показано, що стан вирощених на підкладках гадоліній-галієвого гранату плівок є повністю напруженим. У приповерхневих шарах при йонній імплантації утворюються, в основному, точкові дефекти та дислокаційні петлі з середніми розмірами ЗО - 70 А. Із збільшенням дози опромінення зростає концентрація і зменшується радіус дислокаційних петель, а приповерхневий йонно-імплантований шар у площині, паралельній до поверхні кристалу, є повністю напруженим, незважаючи на великі значення (до 3 %) відносної деформації у перпендикулярному до площини поверхні кристалу напрямі. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/13179 |
Appears in Collections: | № 3 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Яремій І.П., Остафійчук Б.К. С.3-20.pdf | 872.46 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.