DSpace JSPUI
DSpace preserves and enables easy and open access to all types of digital content including text, images, moving images, mpegs and data sets
Learn More
Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/12950| Title: | Бар’єрна ємність гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4 |
| Other Titles: | The barrier capacitance of n-SnS2/n-CdIn2Te4 heterojunction |
| Authors: | Грушка, Олена Григорівна Чупира, Сергій Миколайович Мислюк, Оксана Михайлівна Сльотов, Олексій Михайлович |
| Keywords: | гетероперехід бар'єрна ємність структурні дефекти вольт-фарадна характеристика |
| Issue Date: | 2022 |
| Publisher: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
| Citation: | Грушка О. Г. Бар’єрна ємність гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4 / О. Г. Грушка, С. М. Чупира, О. М. Мислюк, О. М. Сльотов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 3. - С. 450-453. |
| Abstract: | Наведено результати дослідження електричних характеристик гетеропереходу n-SnS2/n-CdIn2Te4, отриманого методом посадки на оптичний контакт. Показано, що вольт-амперні характеристики та вольт-фарадні характеристики (ВФХ) є типовими для різкого гетеропереходу. Виявлено частотну залежність ВФХ: зі збільшенням частоти змінної напруги бар'єрна ємність зменшується. Залежності ВФХ від частоти обумовлені наявністю власних структурних дефектів та пов'язаних із ними локалізованих донорних станів у забороненій зоні CdIn2Te4. Одержані результати пояснюються залежними від частоти процесами перезарядки глибоких донорних центрів. |
| URI: | http://hdl.handle.net/123456789/12950 |
| Appears in Collections: | Т. 23, № 3 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 5744-Текст статті-17618-1-10-20220820.pdf | 687.83 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.