Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/12750
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКужель, Богдан Степанович-
dc.contributor.authorСаламаха, Л.-
dc.contributor.authorРомака, Любов Петрівна-
dc.contributor.authorБелан, Богдана Дмитрівна-
dc.contributor.authorДзевенко, Марія Віталіївна-
dc.contributor.authorГладишевський, Роман Євгенович-
dc.date.accessioned2022-08-11T12:21:08Z-
dc.date.available2022-08-11T12:21:08Z-
dc.date.issued2022-
dc.identifier.citationКужель Б. С. Особливості поведінки електричного опору сполук R3(Ce,Nd,Sm)Cu4Sn4, R(Gd,Tb,Ho)NiSn2, DyNiSi, та DyNiSi3 у магнітних полях / Б. С. Кужель, Л. Саламаха, Л. П. Ромака, Б. Д. Белан, М. В. Дзевенко, Р. Є. Гладишевський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 2. - С. 222-234.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.23.2.222-234-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/12750-
dc.description.abstractДосліджено температурну залежність електричного опору тернарних інтерметалідних сполук складу RE(Ce, Nd, Sm)3Cu4Sn4 (структурний тип Gd3Cu4Ge4, просторова група Immm), RE(Gd, Tb, Ho)NiSn2 (структурний тип LuNiSn2, просторова група Pnma), DyNiSi (структурний тип TiNiSi, просторова група Pnma), DyNiSi3 (структурний тип SmNiGe3, просторова група Cmmm) в діапазоні температур до 0,3 К та магнітних полях до 12 T l. На кривих цих залежностей за низьких температур спостерігали певні аномалії, які за відсутності зовнішнього магнітного поля добре узгоджуються з магнітними фазовими переходами. У більшості випадків у досліджуваних сполуках збільшення зовнішнього магнітного поля призводило до нівелювання на кривих температурної залежності опору особливостей, які спичинені відповідними переходами магнітного упорядкування, аж до їх повного зникнення. Вплив магнітного поля на температурну залежність електричного опору можна трактувати як вплив на величину гібридизації між (s-d) електронами провідності та локалізованими f-електронами, включаючи вплив на зміну рухливості носіїв заряду внаслідок можливої спін-компенсованої взаємодії. Кожна сполука демонструє свої електронно-транспортні властивості особливості, що залежать від їхнього хімічного складу та кристалічної будови, а також від магнітного стану сполуки.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherПрикарпатський національний університет імені Василя Стефаникаuk_UA
dc.subjectмагнітоопірuk_UA
dc.subjectелектронно-транспортні властивостіuk_UA
dc.subjectсплави та сполуки рідкісноземельних елементівuk_UA
dc.titleОсобливості поведінки електричного опору сполук R3(Ce,Nd,Sm)Cu4Sn4, R(Gd,Tb,Ho)NiSn2, DyNiSi, та DyNiSi3 у магнітних поляхuk_UA
dc.title.alternativePeculiarities of the electric resistivity behavior of R3(Ce,Nd,Sm)Cu4Sn4, R(Gd,Tb,Ho)NiSn2, DyNiSi, and DyNiSi3 compounds in magnetic fieldsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 23, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
5197-Текст статті-16230-1-10-20220428.pdf1.08 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.