Особливості поведінки електричного опору сполук R3(Ce,Nd,Sm)Cu4Sn4, R(Gd,Tb,Ho)NiSn2, DyNiSi, та DyNiSi3 у магнітних полях

Abstract

Досліджено температурну залежність електричного опору тернарних інтерметалідних сполук складу RE(Ce, Nd, Sm)3Cu4Sn4 (структурний тип Gd3Cu4Ge4, просторова група Immm), RE(Gd, Tb, Ho)NiSn2 (структурний тип LuNiSn2, просторова група Pnma), DyNiSi (структурний тип TiNiSi, просторова група Pnma), DyNiSi3 (структурний тип SmNiGe3, просторова група Cmmm) в діапазоні температур до 0,3 К та магнітних полях до 12 T l. На кривих цих залежностей за низьких температур спостерігали певні аномалії, які за відсутності зовнішнього магнітного поля добре узгоджуються з магнітними фазовими переходами. У більшості випадків у досліджуваних сполуках збільшення зовнішнього магнітного поля призводило до нівелювання на кривих температурної залежності опору особливостей, які спичинені відповідними переходами магнітного упорядкування, аж до їх повного зникнення. Вплив магнітного поля на температурну залежність електричного опору можна трактувати як вплив на величину гібридизації між (s-d) електронами провідності та локалізованими f-електронами, включаючи вплив на зміну рухливості носіїв заряду внаслідок можливої спін-компенсованої взаємодії. Кожна сполука демонструє свої електронно-транспортні властивості особливості, що залежать від їхнього хімічного складу та кристалічної будови, а також від магнітного стану сполуки.