Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/12750
Назва: Особливості поведінки електричного опору сполук R3(Ce,Nd,Sm)Cu4Sn4, R(Gd,Tb,Ho)NiSn2, DyNiSi, та DyNiSi3 у магнітних полях
Інші назви: Peculiarities of the electric resistivity behavior of R3(Ce,Nd,Sm)Cu4Sn4, R(Gd,Tb,Ho)NiSn2, DyNiSi, and DyNiSi3 compounds in magnetic fields
Автори: Кужель, Богдан Степанович
Саламаха, Л.
Ромака, Любов Петрівна
Белан, Богдана Дмитрівна
Дзевенко, Марія Віталіївна
Гладишевський, Роман Євгенович
Ключові слова: магнітоопір
електронно-транспортні властивості
сплави та сполуки рідкісноземельних елементів
Дата публікації: 2022
Видавництво: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Бібліографічний опис: Кужель Б. С. Особливості поведінки електричного опору сполук R3(Ce,Nd,Sm)Cu4Sn4, R(Gd,Tb,Ho)NiSn2, DyNiSi, та DyNiSi3 у магнітних полях / Б. С. Кужель, Л. Саламаха, Л. П. Ромака, Б. Д. Белан, М. В. Дзевенко, Р. Є. Гладишевський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2022. - Т. 23. - № 2. - С. 222-234.
Короткий огляд (реферат): Досліджено температурну залежність електричного опору тернарних інтерметалідних сполук складу RE(Ce, Nd, Sm)3Cu4Sn4 (структурний тип Gd3Cu4Ge4, просторова група Immm), RE(Gd, Tb, Ho)NiSn2 (структурний тип LuNiSn2, просторова група Pnma), DyNiSi (структурний тип TiNiSi, просторова група Pnma), DyNiSi3 (структурний тип SmNiGe3, просторова група Cmmm) в діапазоні температур до 0,3 К та магнітних полях до 12 T l. На кривих цих залежностей за низьких температур спостерігали певні аномалії, які за відсутності зовнішнього магнітного поля добре узгоджуються з магнітними фазовими переходами. У більшості випадків у досліджуваних сполуках збільшення зовнішнього магнітного поля призводило до нівелювання на кривих температурної залежності опору особливостей, які спичинені відповідними переходами магнітного упорядкування, аж до їх повного зникнення. Вплив магнітного поля на температурну залежність електричного опору можна трактувати як вплив на величину гібридизації між (s-d) електронами провідності та локалізованими f-електронами, включаючи вплив на зміну рухливості носіїв заряду внаслідок можливої спін-компенсованої взаємодії. Кожна сполука демонструє свої електронно-транспортні властивості особливості, що залежать від їхнього хімічного складу та кристалічної будови, а також від магнітного стану сполуки.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/12750
Розташовується у зібраннях:Т. 23, № 2

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
5197-Текст статті-16230-1-10-20220428.pdf1.08 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.