Вирощування з парової фази і властивості змішаних шаруватих напівпровідників Pb1-xCdxI2

Abstract

Кристали Pb1-xCdxI2 (х=0,1; 0,9) одержані кристалізацією з парової фази в закритій системі при тиску парів надстехіометричнного йоду. Сплав CdI2 i PbI2 використовували як джерело випаровування. У результаті рентгеноструктурних досліджень встановлено, що одержані кристали належать до 4Н-політипу, просторова група симетрії P63mc. Визначені параметри гратки і об’єм елементарної комірки кристалів: для Pb0.9Cd0.1I2 a = 4,529 Å, c = 13,96 Å, V = 247,9 Å3; для Pb0.1Cd0.9I2 a = 4.258 Å, c = 13.70 Å, V = 215.0 Å3. Морфологія кристалів твердих розчинів Pb1-xCdxI2 досліджена методом скануючої електронної мікроскопії. Вирощені світло-оранжеві кристали Pb0.9Cd0.1I2 мають форму пластин і стрічок, поверхня яких скульптурована фігурами росту. Прозорі змішані кристали Pb0.1Cd0.9I2 вирощені з парової фази лише у формі пластин. Досліджені спектральні залежності оптичного поглинання кристалів Pb1-xCdxI2 при кімнатній температурі. За спектрами поглинання визначені оптичні ширини заборонених зон вирощених кристалів за допомогою співвідношення Тауца.