Розподіл нерівноважних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з однаковою товщиною пористих шарів

Abstract

В роботі для розрахунку розподілу концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії використовується розв’язок рівняння дифузії для стаціонарних умов, який записується для монокристалічної підкладки та макропористих шарів. Розв’язок рівняння дифузії доповнюється граничними умови на межі макропористих шарів та монокристалічної підкладки та на межі зразка двостороннього макропористого кремнію. Розрахована залежність розподілу концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії з однаковою товщиною пористих шарів від глибини макропор, товщини зразка двосторонньому макропористому кремнії та об’ємного часу життя неосновних носіїв заряду. Показано, що в функції розподілу концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду в двосторонньому макропористому кремнії спостерігаються два максимуми. Максимуми розташовані в фронтальному макропористому шарі, біля поверхні зразка, та в монокристалічній підкладці, біля межі фронтальний макропористий шар - монокристалічна підкладка.