1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2021
  6. Т. 22, № 4
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/12013
Назва: Розроблення схем інвертора з подвійним керуванням підканальними областями інтегрального КМОН сенсорного елемента
Інші назви: Development of Inverter Circuits with Dual Control Subchannel Areas of Integral CMOS Sensor Element
Автори: Дружинін, Анатолій Олександрович
Когут, Ігор Тимофійович
Голота, Віктор Іванович
Нічкало, Степан Ігорович
Ховерко, Юрій Миколайович
Бенько, Тарас Григорович
Ключові слова: резистивний сенсор
підканальна область
амплітуда
МОН-транзистор
Дата публікації: 2021
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Дружинін А. О. Розроблення схем інвертора з подвійним керуванням підканальними областями інтегрального КМОН сенсорного елемента / А. О. Дружинін, І. Т. Когут, В. І. Голота, С. І. Нічкало,Ю. М. Ховерко,Т. Г. Бенько // Фізика і хімія твердого тіла. - 2021. - Т. 22. - № 4. - С. 729-733.
Короткий огляд (реферат): Досліджено використання інтегрального сенсорного елемента у складі інвертора, який перетворює опір чутливого елемента у рівень вихідного імпульсного сигналу. Промодельовано в програмі LTSpice схеми інвертора з різними варіантами керування підканальними областями МОН-транзисторів. За результати моделювання побудовано графіки залежностей амплітуди вихідного сигналу від опору чутливого елементу, чутливості сенсора, показано форми вихідних сигналів.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/12013
Розташовується у зібраннях:Т. 22, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
5382-Текст статті-14169-2-10-20211218.pdf470.37 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.