Кристалічна структура халькогенідів R'xR''yR'''zPbSi2S8 (R' – La, R'' – Tb, R''' – Er)

Abstract

Халькогеніди, загального компонування LaxTbyErzPbSi2S8, отримували методом спікання елементарних компонентів у вакуумованих кварцевих контейнерах за температури 1320 К. Синтезовані сплави гомогенізували відпалом за температури 770 К протягом 500 год. Розраховано параметри елементарної комірки: а = 0,89576(3) нм, с = 2,65646(8) нм для сульфіду La1,2Tb0,4Er0,4PbSi2S8; а = 0,89209(1) нм, с = 2,63466(5) нм для сульфіду La0,9Tb0,2Er0,9PbSi2S8; а = 0,89002(3) нм, с = 2,62714(7) нм для сульфіду La0,67Tb0,67Er0,67PbSi2S8; а = 0,88993(1) нм, с = 2,62973(4) нм для сульфіду La0,6Tb1,2Er0,2PbSi2S8; а = 0,885161(7) нм, с = 2,60445(3) нм для сульфіду La0,2Tb0,9Er0,9PbSi2S8. У структурі синтезованих халькогенідів атоми статистичної суміші (La,Tb,Er,Pb) займають положення 18e (х y 1/4), атоми Si займають положення 12с (1/3 2/3 z). Координаційними многогранниками для атомів статистичної суміші (La,Tb,Er,Pb) є призми з двома додатковими атомами (КЧ = 8), а атоми Si, займаючи ПСТ 12c, мають тетраедричне оточення з атомів Сульфуру. Результати експерименту підтвердили, що синтезовані халькогеніди кристалізуються у структурному типі La2PbSi2S8 (hR26,167). Структуру La2PbSi2S8 описано з позицій теорії ДКО.