Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/11765
Назва: | Наноструктури на поверхні ZnSe: синтез, морфологічні та фотолюмінісцентні характеристики |
Інші назви: | Nanostructures on the ZnSe Surface: Synthesis, Morphological and Photoluminescent Properties |
Автори: | Сичікова, Яна Олександрівна Лазаренко, Андрій Степанович Ковачов, Сергій Сергійович Богданов, Ігор Тимофійович |
Ключові слова: | фотолюмінесценція наноструктури електроліт поруватий ZnSe |
Дата публікації: | 2021 |
Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Бібліографічний опис: | Сичікова Я. О. Наноструктури на поверхні ZnSe: синтез, морфологічні та фотолюмінісцентні характеристики / Я. О. Сичікова, А. С. Лазаренко, С. С. Ковачов, І. Т. Богданов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2021. - Т. 22. - № 4. - С. 614-620. |
Короткий огляд (реферат): | Наноструктурований селенід цинку було отримано методом електрохімічного травлення. у якості електроліту було використано розчин H2SO4:H2O:H2O5OH=4:1:1. Встановлено, що поверхня характеризується наявністю двох фаз: верхній шар складається з щільної оксидної плівки, під ним – низькорозмірний поруватий шар з діаметром пор (30 – 80) нм та товщиною міжпорових простінок (15 – 50) нм. Досліджено залежність поверхневої поруватості від часу травлення, що дозволило пояснити основні етапи електрохімічного розчинення кристалу під час анодування. Показано наявність трьох основних етапів: формування шарів Гуї та Гельмгольцу на межі розділу напівпровідик/електроліт; пороутворення в місцях локалізації дефектів та формування оксидних кристалітів; спонтанне пороутворення. Спектри ФЛ досліджуваних зразків демонструють три максимуми. Полоса випромінювання при 2,45 еВ зумовлена наявністю оксидів, за полосу 2,78 ЕВ відповідні екситони, полоса при 2,82 еВ зумовлюється проявом квантово-розмірних ефектів. Хімічний аналіз зразків також показав наявність оксидів на поверхні наноструктури. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/11765 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 22, № 4 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
5157-Текст статті-13814-1-10-20211110.pdf | 817.63 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.