Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/11765
Назва: Наноструктури на поверхні ZnSe: синтез, морфологічні та фотолюмінісцентні характеристики
Інші назви: Nanostructures on the ZnSe Surface: Synthesis, Morphological and Photoluminescent Properties
Автори: Сичікова, Яна Олександрівна
Лазаренко, Андрій Степанович
Ковачов, Сергій Сергійович
Богданов, Ігор Тимофійович
Ключові слова: фотолюмінесценція
наноструктури
електроліт
поруватий ZnSe
Дата публікації: 2021
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Сичікова Я. О. Наноструктури на поверхні ZnSe: синтез, морфологічні та фотолюмінісцентні характеристики / Я. О. Сичікова, А. С. Лазаренко, С. С. Ковачов, І. Т. Богданов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2021. - Т. 22. - № 4. - С. 614-620.
Короткий огляд (реферат): Наноструктурований селенід цинку було отримано методом електрохімічного травлення. у якості електроліту було використано розчин H2SO4:H2O:H2O5OH=4:1:1. Встановлено, що поверхня характеризується наявністю двох фаз: верхній шар складається з щільної оксидної плівки, під ним – низькорозмірний поруватий шар з діаметром пор (30 – 80) нм та товщиною міжпорових простінок (15 – 50) нм. Досліджено залежність поверхневої поруватості від часу травлення, що дозволило пояснити основні етапи електрохімічного розчинення кристалу під час анодування. Показано наявність трьох основних етапів: формування шарів Гуї та Гельмгольцу на межі розділу напівпровідик/електроліт; пороутворення в місцях локалізації дефектів та формування оксидних кристалітів; спонтанне пороутворення. Спектри ФЛ досліджуваних зразків демонструють три максимуми. Полоса випромінювання при 2,45 еВ зумовлена наявністю оксидів, за полосу 2,78 ЕВ відповідні екситони, полоса при 2,82 еВ зумовлюється проявом квантово-розмірних ефектів. Хімічний аналіз зразків також показав наявність оксидів на поверхні наноструктури.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/11765
Розташовується у зібраннях:Т. 22, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
5157-Текст статті-13814-1-10-20211110.pdf817.63 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.