Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/1149
Назва: ІЧ-фотоіндуковані п'єзоелектричні ефекти у багатокомпонентних халькогенідах Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6
Інші назви: IR Photoinduced Piezoelectric Effects in Multi-Component Chalcogenides Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6
Автори: Мирончук, Галина Леонідівна
Замуруєва, Оксана Валеріївна
Кітик, Іван Васильович
Ключові слова: халькогеніди
фотоіндуковані п'єзоелектричні властивості
лазер
Дата публікації: 2019
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Мирончук Г. Л. ІЧ-фотоіндуковані п'єзоелектричні ефекти у багатокомпонентних халькогенідах Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6 / Г. Л. Мирончук, О. В. Замуруєва, І. В. Кітик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 4. - С. 401-405.
Короткий огляд (реферат): Досліджено вплив зовнішнього опромінення лазерів CO2, CO, Er: скла, Nd: YA на п'єзоелектричнівластивості кристалів Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6. Максимальні фотоіндуковані зміни коефіцієнтап'єзоелектрику спостерігалися після опромінення CO2 лазером. Фотоіндукційні двоколірні промені здовжиною хвилі 5,5 мкм викликають принаймні в 4 рази менший приріст п’єзоелектричних коефіцієнтів.Тому можна очікувати, що первинні механізми викликають збудження фононної підсистеми.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/1149
Розташовується у зібраннях:Т. 20, № 4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
4031-12522-1-PB.pdf274.54 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.