Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1149
Назва: | ІЧ-фотоіндуковані п'єзоелектричні ефекти у багатокомпонентних халькогенідах Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6 |
Інші назви: | IR Photoinduced Piezoelectric Effects in Multi-Component Chalcogenides Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6 |
Автори: | Мирончук, Галина Леонідівна Замуруєва, Оксана Валеріївна Кітик, Іван Васильович |
Ключові слова: | халькогеніди фотоіндуковані п'єзоелектричні властивості лазер |
Дата публікації: | 2019 |
Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Бібліографічний опис: | Мирончук Г. Л. ІЧ-фотоіндуковані п'єзоелектричні ефекти у багатокомпонентних халькогенідах Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6 / Г. Л. Мирончук, О. В. Замуруєва, І. В. Кітик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 4. - С. 401-405. |
Короткий огляд (реферат): | Досліджено вплив зовнішнього опромінення лазерів CO2, CO, Er: скла, Nd: YA на п'єзоелектричнівластивості кристалів Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6. Максимальні фотоіндуковані зміни коефіцієнтап'єзоелектрику спостерігалися після опромінення CO2 лазером. Фотоіндукційні двоколірні промені здовжиною хвилі 5,5 мкм викликають принаймні в 4 рази менший приріст п’єзоелектричних коефіцієнтів.Тому можна очікувати, що первинні механізми викликають збудження фононної підсистеми. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/1149 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 20, № 4 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
4031-12522-1-PB.pdf | 274.54 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.