Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1149
Title: ІЧ-фотоіндуковані п'єзоелектричні ефекти у багатокомпонентних халькогенідах Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6
Other Titles: IR Photoinduced Piezoelectric Effects in Multi-Component Chalcogenides Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6
Authors: Мирончук, Галина Леонідівна
Замуруєва, Оксана Валеріївна
Кітик, Іван Васильович
Keywords: халькогеніди
фотоіндуковані п'єзоелектричні властивості
лазер
Issue Date: 2019
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Мирончук Г. Л. ІЧ-фотоіндуковані п'єзоелектричні ефекти у багатокомпонентних халькогенідах Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6 / Г. Л. Мирончук, О. В. Замуруєва, І. В. Кітик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 4. - С. 401-405.
Abstract: Досліджено вплив зовнішнього опромінення лазерів CO2, CO, Er: скла, Nd: YA на п'єзоелектричнівластивості кристалів Ag2In(Ga)2Si(Ge)S(Se)6. Максимальні фотоіндуковані зміни коефіцієнтап'єзоелектрику спостерігалися після опромінення CO2 лазером. Фотоіндукційні двоколірні промені здовжиною хвилі 5,5 мкм викликають принаймні в 4 рази менший приріст п’єзоелектричних коефіцієнтів.Тому можна очікувати, що первинні механізми викликають збудження фононної підсистеми.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/1149
Appears in Collections:Т. 20, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
4031-12522-1-PB.pdf274.54 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.