DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/1146| Назва: | Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості напівпровідникових матеріалів |
| Інші назви: | Influence of Laser Radiation on Optical Properties of Semiconductor Materials |
| Автори: | Генцарь, Петро Олексійович Левицький, Сергій Миколайович |
| Ключові слова: | пропускання відбивання лазерне опромінення n-Si(100) n-GaAs (100) Ge1-xSix |
| Дата публікації: | 2019 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Генцарь П. О. Вплив лазерного опромінення на оптичні властивості напівпровідникових матеріалів / П. О. Генцарь, С. М. Левицький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 4. - С. 384-390. |
| Короткий огляд (реферат): | В даній роботі поміряно спектри пропускання та відбивання монокристалів n-Si(100); n-GaAs (100); твердих розчинів Ge1-хSiх (х=0,85) в діапазоні (0,2 – 1,7)·10-6 м до та після лазерного опромінення на довжині світлової хвилі λ = 532 нм. Встановлено, що основним механізмом впливу імпульсного лазерного опромінення на оптичні властивості тонких приповерхневих шарів досліджених кристалів є структурне гетерування, тобто поглинання, обумовлене наявністю ділянок напівпровідників що мають дефектну структуру і володіють здатністю активно поглинати точкові дефекти і зв’язувати домішки. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/1146 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 20, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3950-12652-1-PB.pdf | 993.54 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.