Вплив зміни концентрації C4H6O6 в складі композицій (NH4)2Cr2O7-HBr-C4H6O6 на параметри хіміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIB V

Abstract

В роботі наведено результати експериментального визначення впливу вихідної концентрації тартратної кислоти на особливості хімічної взаємодії напівпровідників InAs, InSb, GaAs та GaSb з травильними розчинами (NH4)2Cr2O7-HBr-C4H6O6. Встановлено, що введення C4H6O6 знижує загальну швидкість розчинення кристалів, підвищуючи в’язкість травильних композицій, а також покращує поліруючі властивості травильних розчинів. Порівняльний аналіз впливу зміни складу травильних композицій (NH4)2Cr2O7-HBr-C4H6O6 з різною вихідною концентрацією C4H6O6 на параметри хіміко- динамічного полірування свідчить про те, що застосування 40 %-ної C4H6O6, в порівнянні з 27%-ною, забезпечує якісніше полірування поверхні кристалів.