Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1109
Title: Вплив зміни концентрації C4H6O6 в складі композицій (NH4)2Cr2O7-HBr-C4H6O6 на параметри хіміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIB V
Other Titles: Influence of the C4H6O6 Concentration in the (NH4)2Cr2O7-HBr-C4H6O6 Composition on the Chemical-Dynamic Polishing of the III-V Semiconductors
Authors: Левченко, Ірина Валеріївна
Стратійчук, Ірина Борисівна
Томашик, Василь Миколайович
Маланич, Галина Петрівна
Keywords: травильні композиції
напівпровідники
тартратна кислота
ефект хелатування
Issue Date: 2016
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Левченко І. В. Вплив зміни концентрації C4H6O6 в складі композицій (NH4)2Cr2O7-HBr-C4H6O6 на параметри хіміко-динамічного полірування напівпровідників типу AIIIB V / О. В. Левченко, І. Б. Страгійчук, В. М. Томашик, Г. П. Томашик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 4. - С. 604-610.
Abstract: В роботі наведено результати експериментального визначення впливу вихідної концентрації тартратної кислоти на особливості хімічної взаємодії напівпровідників InAs, InSb, GaAs та GaSb з травильними розчинами (NH4)2Cr2O7-HBr-C4H6O6. Встановлено, що введення C4H6O6 знижує загальну швидкість розчинення кристалів, підвищуючи в’язкість травильних композицій, а також покращує поліруючі властивості травильних розчинів. Порівняльний аналіз впливу зміни складу травильних композицій (NH4)2Cr2O7-HBr-C4H6O6 з різною вихідною концентрацією C4H6O6 на параметри хіміко- динамічного полірування свідчить про те, що застосування 40 %-ної C4H6O6, в порівнянні з 27%-ною, забезпечує якісніше полірування поверхні кристалів.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/1109
Appears in Collections:Т. 17, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1250-6006-1-PB.pdf3.69 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.