Фотонні властивості пристроїв на основі багатокомпонентних кристалічних сполук із вмістом (Si, Ge, Sn)

Abstract

У роботі представлені результати оптичних і фотоелектричних вимірювань та їх аналіз для кристалічних сполук Tl1-xIn1-xDIVxSe2 (DIV – Si, Ge, Sn) у діапазоні довжин хвиль 0,41,4 мкм при температурі Т = 300 К. Робота переслідує мету дослідити вплив молярного вмісту DIVSe2 на механізми міжзонних переходів та основні фотонні параметри кристалів твердих розчинів ТlInSe2–DIVSe2. Встановлено, що зміна фізичних властивостей від молярного вмісту компонент x, пов’язаних з перебудовою зонної структури, значно розширює функціональні можливості кристалічних сполук Tl1-xIn1-x(Si, Ge, Sn)xSe2 (x0,25), як перспективних матеріалів оптоелектронних пристроїв.