Charge Carrier Transport of Polysilicon in SOI-Structures at Low Temperatures

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10912

Назва:	Charge Carrier Transport of Polysilicon in SOI-Structures at Low Temperatures
Автори:	Druzhinin, A. Kogut, I. Khoverko, Yu. Vuitsyk, A.
Ключові слова:	SOI-structures temperature
Дата публікації:	2013
Видавництво:	Vasyl Stefanyk Precarpathian National University
Бібліографічний опис:	Druzhinin A. A. Charge Carrier Transport of Polysilicon in SOI-Structures at Low Temperatures / А. A. Druzhinin, І. Т. Kogut, Yu. N. Khoverko, А. N. Vuitsyk // Physics and Chemistry of Solid State. - 2013. - Vol. 14. - № 3. - P. 662-666.
Короткий огляд (реферат):	The studies of temperature dependence of conductivity and magnetoresistance of SOI-structures with polysilicon resistors with carrier concentration 2,4·1018 сm -3 before recrystallization in temperature range 4,2 – 300 K are presented. The dimensions of polysilicon resistor in SOI-structure are 80 mm × 8 mm × 0,5 mm.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу):	http://hdl.handle.net/123456789/10912
Розташовується у зібраннях:	Т. 14, № 3

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
!1403-36.pdf		253.24 kB	Adobe PDF	Переглянути/Відкрити

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

DSpace JSPUI