Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10849
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorМиронюк, Денис Валерійович-
dc.contributor.authorЛашкарьов, Георгій Вадимович-
dc.contributor.authorРоманюк, Анатолій Сергійович-
dc.contributor.authorЛазоренко, В. Й.-
dc.contributor.authorШтеплюк, Іван Іванович-
dc.contributor.authorСкуратов, В. О.-
dc.contributor.authorТімофеєва, І. І.-
dc.contributor.authorСтрельчук, Віктор Васильович-
dc.contributor.authorКоломис, О. Ф.-
dc.contributor.authorХомяк, Володимир Васильович-
dc.date.accessioned2021-09-16T09:38:51Z-
dc.date.available2021-09-16T09:38:51Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationМиронюк Д. В. Вплив швидких важких іонів Xe26+ на властивості плівок оксиду цинку, осаджених на підкладках кремнію / Д. В. Миронюк, Г. В. Лашкарьов, А. С. Романюк, В. Й. Лазоренко, І. І. Штеплюк, В. О. Скуратов, І. І. Тімофеєва, В. В. Стрельчук, О. Ф. Коломис, В. В. Хомяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 3. - С. 541-546.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10849-
dc.description.abstractПлівки оксиду цинку, вирощені методом магнетронного осадження при постійному струмі на підкладках n-кремнію, були опромінені до різних флюенсів іонами Хе26+ з енергією 167 МеВ. Вихідні та опромінені зразки були досліджені методами рентгенівського структурного аналізу, фотолюмінесценції та спектроскопії резонансного комбінаційного розсіювання світла. Встановлено, що опромінення високоенергетичними іонами ксенону викликає зменшення розміру областей когерентного розсіювання, переорієнтацію кристалітів та зростання інтенсивності дефектної смуги ФЛ.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectопроміненняuk_UA
dc.subjectрекристалізаціяuk_UA
dc.subjectточкові дефектиuk_UA
dc.subjectшвидкі важкі іониuk_UA
dc.titleВплив швидких важких іонів Xe26+ на властивості плівок оксиду цинку, осаджених на підкладках кремніюuk_UA
dc.title.alternativeEffect of Swift Heavy Ion Xe26+ on the Properties of ZnO Films Deposited on Silicon Substratesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Т. 14, № 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
!1403-14.pdf282.06 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.