Вплив швидких важких іонів Xe26+ на властивості плівок оксиду цинку, осаджених на підкладках кремнію

Abstract

Плівки оксиду цинку, вирощені методом магнетронного осадження при постійному струмі на підкладках n-кремнію, були опромінені до різних флюенсів іонами Хе26+ з енергією 167 МеВ. Вихідні та опромінені зразки були досліджені методами рентгенівського структурного аналізу, фотолюмінесценції та спектроскопії резонансного комбінаційного розсіювання світла. Встановлено, що опромінення високоенергетичними іонами ксенону викликає зменшення розміру областей когерентного розсіювання, переорієнтацію кристалітів та зростання інтенсивності дефектної смуги ФЛ.