Динаміка зміни стехіометрії поверхні кристалів CsI під впливом концентрованих потоків енергії: роль теплових та електронних збуджень

Abstract

Проведено дослідження динаміки зміни стехіометрії поверхні кристалів CsI та KCl під впливом електронного та опромінення неодимовим ІЧ-лазером. Встановлено, що за низьких температур опромінюваних поверхонь зміна стехіометрії поверхні CsI та KСІ визначається переважно електронними механізмами розпилення галогену, і обидві поверхні збагачуються металічною компонентою. Якщо на поверхні кристалів досягаються температури, близькі до температур плавлення, зміна стехіометрії визначається швидкостями дифузії до поверхні та випаровування компонент, тоді поверхня CsI збагачується галогеном, а KСІ - металом. Вказані процеси носять квазіперіодичний характер в залежності від флюенса та дози опромінення.