Температурні залежності енергії основного стану електрона в наноплівках E-MAA/PbI2/E-MAA

Abstract

У рамках наближення ефективних мас для електронної та моделі діелектричного континууму – для фононної систем запропоновано метод теоретичного дослідження температурної залежності енергії електрона в плоскій напівпровідниковій наноплівці шаруватого напівпровідника, уміщеній в органічне діелектричне середовище. Конкретні розрахунки виконані на прикладі дийодиду свинцю, як ямного матеріалу, та сополімеру етилен-метакрилової кислоти (E-MAA) – як бар’єрного. Показано, що збільшення температури наносистеми понад 50 – 75 K спричиняє зсув основного стану електрона у бік менших енергій. Величина зсуву – монотонно зростаюча функція температури, швидкість зростання якої залежить від товщини наноплівки.