Сили осцилятора внутрішньозонних квантових преходів у сферичній квантовій точці GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs з центральною донорною домішкою

Abstract

На основі енергетичного спектру та хвильових функцій електрона у сферичній багатошаровій наносистемі GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs/AlxGa1-xAs з центральною воднеподібною домішкою, отриманих у наближенні ефективних мас та прямокутних потенціальних бар’єрів, розраховано розподіл густини ймовірності знаходження квазічастинки у наносистемі та досліджено вплив домішки на сили осциляторів внутрішньозонних переходів. Отримано залежності інтенсивності квантових переходів електрона з основного (1s) стану в збуджені 1p та 2p стани від геометричних розмірів наносистеми. Показано, що для кожного квантового переходу існують свої діапазони розмірів наносистеми, при яких сили осцилятора досягають максимальних значень. Наявність донорної домішки суттєво впливає як на розподіл густини ймовірності розподілу електрона в наносистемі, так і на сили осциляторів квантових переходів.