Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/10829
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Фреїк, Дмитро Михайлович | - |
dc.contributor.author | Яворський, Ярослав Святославович | - |
dc.contributor.author | Литвин, Петро Мар’янович | - |
dc.contributor.author | Биліна, Іван Степанович | - |
dc.contributor.author | Ліщинський, Ігор Мирославович | - |
dc.contributor.author | Марусяк, В. Б. | - |
dc.date.accessioned | 2021-09-07T12:33:42Z | - |
dc.date.available | 2021-09-07T12:33:42Z | - |
dc.date.issued | 2013 | - |
dc.identifier.citation | Фреїк Д. М. Процеси росту парофазних наноструктур PbTe:Bi на ситалі / Д. М. Фреїк, Я. С. Яворський, П. М. Литвин, І. С. Биліна, І. М. Ліщинський, В. Б. Марусяк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 2. - С. 436-443. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/10829 | - |
dc.description.abstract | Наведено результати АСМ-дослідження процесів формування наноструктур на основі легованого вісмутом плюмбум телуриду PbTe:Bi, осаджених із пари у відкритому вакуумі на підкладки із ситалу за різних технологічних факторів: температури випаровування ТВ = (650-750) ºС; температури підкладок ТП = (150 -250) ºС; час осадження τ = (3-120) с. Описано вплив досліджуваних умов отримання та процеси росту структурних наноутворень. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | наноструктури | uk_UA |
dc.subject | плюмбум телурид | uk_UA |
dc.subject | процеси формування | uk_UA |
dc.title | Процеси росту парофазних наноструктур PbTe:Bi на ситалі | uk_UA |
dc.title.alternative | The Process of Vapor-Phase Growth of Nanostructures PbTe: Bi at Sital | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 14, № 2 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
1402-18.pdf | 395.93 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.