1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2013
  6. Т. 14, № 2
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/10822
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorФреїк, Дмитро Михайлович-
dc.contributor.authorНикируй, Любомир Іванович-
dc.contributor.authorДзумедзей, Роман Олексійович-
dc.contributor.authorВозняк, Орест Михайлович-
dc.contributor.authorЛисак, Алла Василівна-
dc.date.accessioned2021-09-07T07:06:52Z-
dc.date.available2021-09-07T07:06:52Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationФреїк Д. М. Оптимізація термоелектричної добротності кристалічних PbX / Д. М. Фреїк, Л. І. Никируй, Р. О. Дзумедзей, О. М. Возняк, А. В. Лисак // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 2. - С. 383-389.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/10822-
dc.description.abstractРозраховано та проаналізовано значення термоелектричних параметрів кристалів халькогенідів свинцю n-типу провідності. Розглянуто ефективність термоелектричного матеріалу – безрозмірну добротність, визначено шляхи її оптимізації. Показано, що зміною технологічних факторів можна регулювати вид домінуючих меанізмів розсіювання носіїв заряду, а отже, й підвищити результуюче значення добротності матеріалу.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectтермоелектрична добротністьuk_UA
dc.subjectмеханізми розсіювання носіїв зарядуuk_UA
dc.subjectхалькогеніди свинцюuk_UA
dc.titleОптимізація термоелектричної добротності кристалічних PbXuk_UA
dc.title.alternativeThermoelectric Figure of Merit Optimization of PbX (X = S, Se, Te) Crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 14, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1402-10.pdf169.03 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.