DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10822| Назва: | Оптимізація термоелектричної добротності кристалічних PbX |
| Інші назви: | Thermoelectric Figure of Merit Optimization of PbX (X = S, Se, Te) Crystals |
| Автори: | Фреїк, Дмитро Михайлович Никируй, Любомир Іванович Дзумедзей, Роман Олексійович Возняк, Орест Михайлович Лисак, Алла Василівна |
| Ключові слова: | термоелектрична добротність механізми розсіювання носіїв заряду халькогеніди свинцю |
| Дата публікації: | 2013 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Фреїк Д. М. Оптимізація термоелектричної добротності кристалічних PbX / Д. М. Фреїк, Л. І. Никируй, Р. О. Дзумедзей, О. М. Возняк, А. В. Лисак // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 2. - С. 383-389. |
| Короткий огляд (реферат): | Розраховано та проаналізовано значення термоелектричних параметрів кристалів халькогенідів свинцю n-типу провідності. Розглянуто ефективність термоелектричного матеріалу – безрозмірну добротність, визначено шляхи її оптимізації. Показано, що зміною технологічних факторів можна регулювати вид домінуючих меанізмів розсіювання носіїв заряду, а отже, й підвищити результуюче значення добротності матеріалу. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10822 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 14, № 2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1402-10.pdf | 169.03 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.