Термодинаміка дефектної підсистеми кристалів цинк телуриду

Abstract

Використовуючи метод, що базується на мінімізації термодинамічного потенціалу системи „кристалпара” як функції концентрації дефектів, розраховано рівноважні концентрації точкових дефектів та вільних носіїв заряду у кристалах цинк телуриду ZnTe в залежності від технологічних факторів двотемпературного відпалу (температури відпалу Т та тиску пари цинку PZn чи телуру PТе).