Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/10817
Назва: Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості кристалів у системі Pb-Ga-Te
Інші назви: Point Defects and Physicochemical Properties of Crystals in Pb-Ga-Te System
Автори: Туровська, Лілія Вадимівна
Бойчук, Володимира Михайлівна
Борик, Віктор Васильович
Ключові слова: точкові дефекти
твердий розчин
кристалоквазіхімія
легування
Дата публікації: 2013
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Туровська Л. В. Точкові дефекти і фізико-хімічні властивості кристалів у системі Pb-Ga-Te / Л. В. Туровська, В. М. Бойчук, В. В. Борик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 2. - С. 358-369.
Короткий огляд (реферат): На основі аналізу результатів експериментальних досліджень та розрахунку на основі кристалоквазіхімічних формул легованих кристалів плюмбум телуриду галієм уточнено вид і зарядовий стан домінуючих точкових дефектів. Запропоновано механізми утворення твердих розчинів PbTe-GaTe та PbTe-Ga2Te3. Визначено залежності холлівської концентрації носіїв заряду та концентрації точкових дефектів від вмісту легуючих сполук, величини початкового відхилення від стехіометричного складу плюмбум телуриду та зарядового стану галію. Встановлено умови реалізації термодинамічних n-pабо p-n-переходів.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/10817
Розташовується у зібраннях:Т. 14, № 2

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1402-06.pdf408.98 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.