Структура і коливні спектри тонких плівок β-Ga2O3

Abstract

Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок b–Ga₂O₃, отриманих методом високочастотного іонно-плазмового розпилення, після відпалу у різних атмосферах. Виміряно спектри ІЧ-відбивання системи тонка плівка b–Ga₂O₃ – підкладка з плавленого кварцу υ–SiO₂ в області 400 - 1600 см^–1 при Т = 295 К. Проведено інтерпретацію піків у спектрі плівок b–Ga₂O₃, що пов’язані з коливаннями Ga–O фрагментів у структурних тетраедричних GaO₄ та октаедричних GaO₆ комплексах.