DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/10802| Назва: | Властивості анізотипних гетеропереходів n-CdO–p-InSe |
| Інші назви: | Properties of Anisotype n-CdO–p-InSe Heterojunctions |
| Автори: | Катеринчук, Валерій Миколайович Кудринський, Захар Русланович Хомяк, В. В. Орлецький, Іван Григорович Нетяга, Віктор Васильович |
| Ключові слова: | гетеропереходи шаруваті кристали CdO InSe |
| Дата публікації: | 2013 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Катеринчук В. М. Властивості анізотипних гетеропереходів n-CdO–p-InSe / В. М. Катеринчук, З. Р. Кудринський, В. В. Хомяк, І. Г. Орлецький, В. В. Нетяга // Фізика і хімія твердого тіла. - 2013. - Т. 14. - № 1. - С. 218-221. |
| Короткий огляд (реферат): | Вперше виготовлені анізотипні гетеропереходи n-CdO-p-InSe на основі шаруватих кристалів InSe. Досліджені температурні залежності вольт-амперних характеристик гетеропереходів і визначені механізми струмопроходження через бар'єр при прямому і зворотному зміщеннях. Встановлена область їх фоточутливості. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/10802 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 14, № 1 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 1401-35.pdf | 176.3 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.