Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1079
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorГрицище, Я. В.-
dc.contributor.authorЛоя, Василь Юрійович-
dc.contributor.authorКозак, Мирослав Іванович-
dc.contributor.authorЧичура, Ігор Іванович-
dc.contributor.authorСоломон, Андрій Михайлович-
dc.contributor.authorКрасилинець, Василь Миколайович-
dc.date.accessioned2020-01-14T09:54:04Z-
dc.date.available2020-01-14T09:54:04Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationГрицише Я. В. Електрофізичні властивості модифікрваних індієм тонких плівок As2(S, Se)3 / Я. В. Грицище, В. Ю. Лоя, М. І. Козак, І. І. Чичура, А. М. Соломон, В. М. Красилинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 4. - С. 511-514.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/1079-
dc.description.abstractПроведено електрофізичні дослідження модифікованих індієм тонких плівок на основі склоподібних As<sub>2</sub>S<sub>3</sub> та As<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>. Визначено енергію активації та виявлено фотоелектричну пам’ять у досліджуваних зразках.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectхалькогенідні стеклаuk_UA
dc.subjectенергія активаціїuk_UA
dc.subjectмодифікаціяuk_UA
dc.subjectтонкі плівкиuk_UA
dc.titleЕлектрофізичні властивості модифікрваних індієм тонких плівок As2(S, Se)3uk_UA
dc.title.alternativeElectrophysical Properties of Indium Doped As2(S, Se)3 thin Filmsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 17, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1233-5958-1-PB.pdf187.95 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.