Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/1079
Title: | Електрофізичні властивості модифікрваних індієм тонких плівок As2(S, Se)3 |
Other Titles: | Electrophysical Properties of Indium Doped As2(S, Se)3 thin Films |
Authors: | Грицище, Я. В. Лоя, Василь Юрійович Козак, Мирослав Іванович Чичура, Ігор Іванович Соломон, Андрій Михайлович Красилинець, Василь Миколайович |
Keywords: | халькогенідні стекла енергія активації модифікація тонкі плівки |
Issue Date: | 2016 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Грицише Я. В. Електрофізичні властивості модифікрваних індієм тонких плівок As2(S, Se)3 / Я. В. Грицище, В. Ю. Лоя, М. І. Козак, І. І. Чичура, А. М. Соломон, В. М. Красилинець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 4. - С. 511-514. |
Abstract: | Проведено електрофізичні дослідження модифікованих індієм тонких плівок на основі склоподібних As<sub>2</sub>S<sub>3</sub> та As<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>. Визначено енергію активації та виявлено фотоелектричну пам’ять у досліджуваних зразках. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/1079 |
Appears in Collections: | Т. 17, № 4 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
1233-5958-1-PB.pdf | 187.95 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.