Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/1078
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКатеринчук, Валерій Миколайович-
dc.contributor.authorКушнір, Б. В.-
dc.contributor.authorКудринський, Захар Русланович-
dc.contributor.authorКовалюк, Захар Дмитрович-
dc.contributor.authorТкачук, Іван Георгійович-
dc.contributor.authorЛитвин, Оксана Степанівна-
dc.date.accessioned2020-01-14T09:11:50Z-
dc.date.available2020-01-14T09:11:50Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationКатеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, О. С. Литвин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 4. - С. 507-510.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/1078-
dc.description.abstractДосліджені фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe – n-InSe, що сформовані методом механічного контакту окисленої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетерограниці p-GaTe – n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>. Побудована енергетична зонна діаграма гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe – n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectшаруваті кристалиuk_UA
dc.subjectгетеропереходиuk_UA
dc.subjectАСМ-зображенняuk_UA
dc.subjectспектральні характеристикиuk_UA
dc.titleТопологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSeuk_UA
dc.title.alternativeTopology and Photoelectric Properties of Heterostructure p-GaTe – n-InSeuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 17, № 4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1232-5955-1-PB.pdf1.01 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.